IT之家 9 月 25 日消息，韩国半导体分析机构 Kernel Insight 最新数据显示，1b DRAM 晶圆每平方毫米成本已达 0.654 美元（按当前汇率约合 4.4 元人民币），比台积电 N2 晶圆的 0.424 美元（按当前汇率约合 2.8 元人民币）高出 54%。
IT之家注明：1b DRAM 晶圆指的是采用 1b 工艺节点（sub-10nm 级别）制造的 DDR5 动态随机存取存储器。1b 表示存储单元特征尺寸已低于 10 纳米，位密度约为每平方毫米 0.436 Gb。
1b DRAM 晶圆主要应用于 DDR5 内存模组的生产，特别是高容量规格的台式机、笔记本和服务器内存条，具体涵盖以下产品：
- DDR5 台式机内存条：单条容量为 16 GB、32 GB、64 GB，部分高端型号已可达到 128 GB 甚至 512 GB。
- DDR5 笔记本内存：包括 SO-DIMM 规格和板载 LPDDR5/DDR5 颗粒，常用于高性能轻薄本和游戏本。
- 服务器/工作站内存：RDIMM、LRDIMM 等 ECC 纠错内存模组，单条容量最高可达 256 GB，服务器整机内存上限已提升至 12 TB。
- 高带宽内存（HBM）配套：部分 1b 工艺也用于 HBM3E 等 AI 加速器专用显存的堆叠基座颗粒。
DDR5 的制造流程相比台积电 N2 节点硅晶圆要简单很多。N2 属于 2 纳米级先进制程，需要多重曝光、极紫外光刻等复杂工艺。1b DRAM 虽然也是亚 10 纳米级别，但结构相对简单，良率控制难度较低。
按常理来说，工艺更简单的产品单位面积成本应该更低，但目前市场却呈现出完全相反的定价格局。通用 DRAM 长期供应短缺成为价格倒挂的核心原因。AI 服务器建设热潮持续消耗高带宽内存和大容量 DDR5 模组，而三大存储厂商的产能扩张速度落后于需求增长。
当前定价模式短期内难以恢复正常。SK 海力士 CEO 公开表示，AI 产业离不开存储器，公司正在加速全球生产基地的下一代内存布局。宏碁董事长陈巍预测，内存短缺不会延续到 2030 年，但价格在 2027 年中期缓解之前仍会持续攀升。开云体育平台认为，这一趋势将对整个电子产业链产生深远影响。
